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eljentechnology 探測器EJ-410 儀器EJ-410是專門為探測快中子而設(shè)計的，同時對伽馬輻射幾乎不敏感。該探測器由嵌入含氫聚合物基質(zhì)中的硫化鋅磷光體組成，該基質(zhì)由一系列同心的透明塑料圓柱體構(gòu)成，以方便光收集。探測器中產(chǎn)生的反沖質(zhì)子在磷光體中產(chǎn)生閃爍脈沖。探測器中被伽馬輻射散射的電子與ZnS:Ag粒子的相互作用非常弱，通過設(shè)置適當?shù)拈撝担梢院苋菀椎貜挠嫈?shù)系統(tǒng)中消除閃爍脈沖。 EJ

eljentechnology 探測器EJ-420 儀器EJ-420探測器是一種在伽馬輻射存在下有效的熱中子探測器。該探測器采用鋰化合物，其Li含量富集到95%的6Li，分散在ZnS:（Ag）基質(zhì)中。在每中子高達107伽馬射線的伽馬輻射存在下，可以有效地測量熱中子通量。 在大多數(shù)應(yīng)用中，EJ-420的計數(shù)效率將比基于10B的類似探測器高出100%。效率取決于中子能量，對于0.1eV中子約為30%，

micronsemiconductor 探測器 LL11無中心孔的單面/圓形設(shè)計。 具有圓形或多面外部芯片尺寸的單面多元件圓形有源區(qū)。核能/高能物理 核能/高能物理公司在訂單簿中占據(jù)主導地位，主要是雙面硅微帶探測器，使用N型硅，用于各種項目，包括R3B/ISOLDE/MINOS/HIRA/BELLE2/GASPARD，最近用于CLIC/LHCb/ATLAS，為P型硅像素提供高達65000個元素，每

micronsemiconductor 鉆石探測器MSL-DD-01 MSL-DD-02無中心孔的單面/圓形設(shè)計。 具有圓形或多面外部芯片尺寸的單面多元件圓形有源區(qū)。核能/高能物理 核能/高能物理公司在訂單簿中占據(jù)主導地位，主要是雙面硅微帶探測器，使用N型硅，用于各種項目，包括R3B/ISOLDE/MINOS/HIRA/BELLE2/GASPARD，最近用于CLIC/LHCb/ATLAS，為

球形Magphan® （SMR100）Magphan®體模旨在對磁共振成像（MRI）掃描儀進行廣泛的性能評估。 Magphan®SMR100體模是在20世紀90年代MRI早期開發(fā)的。我們較新的EMR和TMR Magphan™體模是為現(xiàn)代MRI掃描儀設(shè)計的，我們強烈推薦它們而不是SMR100。然而，我們phantomlab 體模 探頭SMR100

phantomlab 體模Magphan RT 探頭Magphan®RT 820 Magphan®RT 820具有兩件式配置（頂部和底部），可測量35 x 27 x 21cm范圍內(nèi)的幾何變形和均勻性。通過購買中心模塊（TMR008），可以將體模升級到Magphan®RT 1230型號，以提供擴展的視場。 Magphan®RT 1090和1090D

phantomlab 體模 探頭ECTphan 330ECTphan™體模是一個圓柱形、充滿液體的容器，用于單光子發(fā)射斷層掃描（SPECT）系統(tǒng)的質(zhì)量監(jiān)測。 體模可用于評估以下SPECT系統(tǒng)參數(shù)：重建均勻性、空間分辨率、低對比度分辨率、像素大小、切片寬度和旋轉(zhuǎn)中心（COR）。此外，ECTphan™幻影數(shù)據(jù)適用于上述系統(tǒng)參數(shù)的計算機分析。 有關(guān)詳細信息，請參閱ECTphan™手冊。

*EMG 高頻光源發(fā)射器 LLS875/01ELHY®裝置有三種不同的系列，所有這些系列都具體相同的功能原理、相同的內(nèi)部設(shè)計和相同的外形。 EMGLIC770/11光源發(fā)射器 EMG高頻光源EVK2-CP/800.71L/R

*EMG 高頻光源發(fā)射器 LLS875/01ELHY®裝置有三種不同的系列，所有這些系列都具體相同的功能原理、相同的內(nèi)部設(shè)計和相同的外形。 電機殼體內(nèi)裝有鼠籠式設(shè)計的三相異步驅(qū)動電機定子，電機在液體中運行。 EMG高頻光源EVK2-CP/800.71L/R

*EMG 高頻光源發(fā)射器 LLS875/01ELHY®裝置有三種不同的系列，所有這些系列都具體相同的功能原理、相同的內(nèi)部設(shè)計和相同的外形。 電機殼體內(nèi)裝有鼠籠式設(shè)計的三相異步驅(qū)動電機定子，電機在液體中運行。 電氣連接的安裝是通過與電機殼體密封成一體的接線盒。 電機殼體上的鑄腳用于把ELHY®裝置 固定在合適的位置上。泵的葉輪與電機軸聯(lián)在一起。推桿和軸向移動的活塞位于葉輪上方。裝置內(nèi)部